SJ 50033.145-2000 半导体分立器件3DA503型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
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ID： |
2669BFB7A88A4E8992561C1619E189EF |
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文件大小(MB)： |
0.52 |
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10 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SsJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/145—2000,半导体分立器件,3DA503型硅微波脉冲功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA503,silicon microwave pulse power transistor,2000-10-20 发布2000-10-20 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DA503型硅微波脉冲功率晶体管,详细规范,SJ 50033/145—2000,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DA503,silicon microwave pulse power transistor,范围,1.1 主题内容,本规范规定了 3DA503型硅微波脉冲功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33A-97《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军,级、特军级利超特军级。分别用字母JP、JT和JCT表示,2引用文件,GB" 4587—94半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管,GB/T 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33A-97半导体分立器件总规范,GJB 128A—97半导体分立器件试验方法,3要求,3.I 详细要求,各项要求应按GJB 33A和本规范的规定,3.2 设计和结构’,器件的设计和结构应按GJB 33A和本规范的规定,3. 2.1引出端材料和镀涂层,发射极和集电极引出端材料为可伐合金带,基极引出端为鸨铜。引出端表面镀金,中华人民共和国信息产业部2000-10-20发布2000-10-20 实施,一 1 -,SJ 50033/145—2000,3. 2.2器件结构,本雋件是采用硅外延平面结构的NPN型晶体管,并具有阻抗匹配网络,3.2.3外形尺寸,外形尺寸基本上与GB"7581 B2-O9B相同,仅有厶0、"不同,外形尺寸见图1,3.3最大额定值和主要电特性,3. 3.I最大额定值,、ヾ数及,、烫艮值,型号、,?」,4=25 ℃,W,“CBO,V,"ebq,V,k,A,过激励,dB,VSWR^,输出端,4,℃,TStg,℃,3DA5O3 51 65 4 8 1 3:1 200 -65-200,注:1）ス＞25。＜Z时按0.29 W/K线性降额,2）全相位抗失配在540 MHz和610 MHz两点拉驻波（P0270W）,2 -,SJ 50033/145—2000,3. 3.2主要电特性（ム=25。0,X参,\数,V,、件,极、,限、,ヽ,型り、,'cEsat,V,4bo,mA,Gp,dB,根,%,顶降,dB,え屿）”,K/W,VSWR,输入端,&5 V,7c=2 A,/c=2A,/b=300 mA,&37 V,4=0,Kcc=37 V, ft 54〇.610 MHz,P 产 10W,/P=500 ns, Z>15%,4=2 A,ん广17 V,w=l ms,RF工作,状态,最小最大最大最大最小最大最小最大巖小最大,3DA5O3 10 90 0.6 1 8.0 9.5 50 0.5 3.4 2:1,注:1）直流法测试,3.4测试要求,电测试应符合GJB 33A及本规范的规定,3. 5标志,器件上应有如下标志:,a.器件型号;,b.质量保证等级;,c.承制方标志;,d.极性标志,4质量保证规定,4. !抽样和检验,抽样和检验按GJB 33A和本规范A、B、C、E组检验的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33A和本规范的规定,4.3 筛选（仅对JT和JCT级）,筛选应按本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范表1极限值的,器件应剔除,一 3 一,SJ 50033/145—2000,筛选要求,筛 选,GJB 128 A,方法号,条件和要求,JT和JCT级,1.内部日检2070,3.温度循环1051 试验条件C, 20次,4.恒定加速度2006 9800m/s2?Y1方向,不要求保持1 min,8.编序列号见 GJB 33A 3.7.9,9.中间测试电参数按本规范表1的2分组规定,10.高温反偏1039 rA=150 ℃, Kce=37V?片48h,11.中间测试ムFEジ,801,12.功率老炼1039 テ 187.5 ± 12.5 °C, Kce=12V, Ptot>20W, 160 h,13.终点测试△ /cbo为初始值的I。。％或0.5 mA取较大者,1A毎e区初始值的20%,14.密封1071,(a)细检漏试验条件H1,4517± 15 kPa,漏率 W5 mPa.cm3/s,(b)粗检漏试验条件C,16.日视检查2071 打标志之后进行,注:2、5、6、15、16项筛选试验不要求,第7项由第17项完成,4. 4质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33A和本规范的规定进行,4 . 4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33A和本规范表1的规定进行,4 .4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33A和本规范表2的规定进行,4 . 4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33A和本规范表3的规定进行,4 .5检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表中……
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